无私巴士诚招城市广告代理
品牌之家旗下微信二维码

登录注册

您所在的位置: 5484商务网> 5484资讯网 > 机床资讯 > 第三代半导体器件制备及评价技术取得突破

第三代半导体器件制备及评价技术取得突破

5484商务网 272 2018-09-06 关键词: 机床上下游

文章摘要:以氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)为代表的第三代半导体材料,具备高击穿电场、高热导率、高电子饱和速率及抗强辐射能力等优异性能,更适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率电子器件,在光电子和微电子领域具有重要的应用价值。“十二五”期间,863计划重点支持了“第三代半导体器件制备及评价技术”项目。近日,科技部高新司在北京组织召开项目验收会。项目重点围绕第三代半导体技术中的关键材料、关键器件以及关键工艺进...

  以氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)为代表的第三代半导体材料,具备高击穿电场、高热导率、高电子饱和速率及抗强辐射能力等优异性能,更适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率电子器件,在光电子和微电子领域具有重要的应用价值。

  “十二五”期间,863计划重点支持了“第三代半导体器件制备及评价技术”项目。近日,科技部高新司在北京组织召开项目验收会。项目重点围绕第三代半导体技术中的关键材料、关键器件以及关键工艺进行研究,开发出基于新型基板的第三代半导体器件封装技术,满足对应高性能封装和低成本消费级封装的需求,研制出高带宽GaN发光器件及基于发光器件的可见光通信技术,并实现智能家居演示系统的试制;开展第三代半导体封装和系统可靠性研究,形成相关标准或技术规范;制备出高性能SiC基GaN器件。通过项目的实施,我国在第三代半导体关键的SiC和GaN材料、功率器件、高性能封装以及可见光通讯等领域取得突破,自主发展出相关材料与器件的关键技术,有助于支撑我国在节能减排、现代信息工程、现代国防建设上的重大需求。

   “十三五”期间,为进一步推动我国材料领域科技创新和产业化发展,科技部制定了《“十三五”材料领域科技创新专项规划》,将“战略先进电子材料”列为发展重点之一,以第三代半导体材料与半导体照明、新型显示为核心,以大功率激光材料与器件、高端光电子与微电子材料为重点,推动跨界技术整合,抢占先进电子材料技术的制高点。

 

免责声明

本网站部分内容来源于合作媒体、企业机构、网友提供和互联网的公开资料等,仅供参考。本网站对站内所有资讯的内容、观点保持中立,不对内容的准确性、可靠性或完整性提供任何明示或暗示的保证。如果有侵权等问题,请及时联系我们,我们将在收到通知后第一时间妥善处理该部分内容。

QQ:2354754502

固定电话:0592-2211350

账号密码登录
x
关于5484 服务条款 法律声明 隐私声明 意见反馈 帮助中心 网站地图 联系我们

Copyright © 2008-2016 5484.com ALL Right Reserved

5484商务网 版权所有 闽ICP备11002824号-9

闽公网安备 35020502000007号